TL |
0728 |
E |
JG |
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|
首标 |
器件编号 |
温度范围 |
封装 |
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LS |
183 |
J |
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首标 |
温度范围 |
系列 |
器件编号 |
封装 |
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首标符号意义 |
AC:改进的双极电路; |
SN:标准的数字电路; |
TL:TII的线性控制电路; |
TIEF:跨导放大器; |
TIES:红外光源; |
TAL:LSTTL逻辑阵列; |
JANB:军用B级IC; |
TAT:STTL逻辑阵列; |
JAN38510:军用产品; |
TMS:MOS存储器/微处理器; |
JBP:双极PMOS 883C产品; |
TM:微处理器组件; |
SNC:IV马赫3级双极电路; |
TBP:双极存储器; |
SNJ:MIL-STD-883B双极电路; |
TC:CCD摄像器件; |
SNM:IV马赫1级电路; |
TCM:通信集成电路; |
RSN:抗辐射电路; |
TIED:经外探测器; |
SBP:双极微机电路; |
TIL:光电电路; |
SMJ:MIL-STD-883B MOS电路; |
VM:语音存储器电路; |
TAC:CMOS逻辑阵列; |
TIFPLA:双极扫描编程逻辑阵列; |
TLC:线性 CMOS电路; |
TIBPAL:双极可编程阵列逻辑。 |
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同时采用仿制厂家的首标。 |
封装符号 |
J、JT、JW、JG:陶瓷双列; |
PH、PQ、RC:塑料四列扁平封装; |
T:金属扁平封装; |
LP:塑料三线; |
D、DW:小引线封装; |
DB、DL:缩小的小引线封装; |
DBB、DGV:薄的超小型封装; |
DBV:小引线封装; |
GB:陶瓷针栅阵列; |
RA:陶瓷扁平封装; |
KA、KC、KD、KF:塑料功率封装; |
U:陶瓷扁平封装; |
P:塑料双列; |
JD:黄铜引线框陶瓷双列; |
W、WA、WC、WD:陶瓷扁平封装; |
N、NT、NW、NE、NF:塑封双列; |
MC:芯片; |
DGG、PW:薄的再缩小的小引线封装; |
PAG、PAH、PCA、PCB、PM、PN、PZ:塑料薄型四列扁平封装; |
FH、FN、FK、FC、FD、FE、FG、FM、FP:芯片载体。 |
数字电路系列符号 |
GTL:Gunning Transceiver Logic; |
SSTL:Seris-Stub Terminated Logic; |
CBT:Crossbar Technology; |
CDC:Clock-Distribution Circuits; |
ABTE:先进BiCMOS技术/增强收发逻辑; |
FB:Backplane Transceiver Logic/Futurebust; |
没标者为标准系列; |
L:低功耗系列; |
AC/ACT:先进CMOS逻辑; |
H:高速系列; |
AHC/AHCT:先进高速CMOS逻辑; |
ALVC:先时低压CMOS技术; |
S:肖特基二极管箝位系列; |
LS:低功耗肖特基系列; |
BCT:BiCMOS总线-接口技术; |
AS:先进肖特基系列; |
F:F系列(FAST); |
CBT:Crossbar Technology; |
ALS:先进低功耗肖特基系列; |
HC/HCT:高速CMOS逻辑; |
LV:低压HCMOS技术; |
ABT:先时BiCMOS技术。 |
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速度标志(MOS电路用) |
15:150ns MAX取数; |
17:170 ns MAX取数; |
20:200 ns MAX取数; |
25:250 ns MAX取数; |
35:350 ns MAX取数; |
45:450 ns MAX取数; |
2:200 ns MAX取数; |
3:350 ns MAX取数; |
4:450 ns MAX取数。 |
温度范围 |
数字和接口电路系列: |
双极线性电路: |
MOS电路: |
55、54:(-55~125)℃; |
M:(-55~125)℃; |
M:(-55~125)℃; |
75、74:(0~70)℃; |
E:(-40~85)℃; |
R:(-55~85)℃; |
CMOS电路74表示(-40~85)℃; |
I:(-25~85)℃; |
L:(0~70)℃; |
76:(-40~85)℃。 |
C:(0~70)℃。 |
C:(-25~85)℃; |
|
|
E:(-40~85)℃; |
|
|
S:(-55~100)℃; |
|
|
H:(0~55)℃。 |
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器件型号举例说明
CMOS集成电路 |
V |
B |
74 |
ACT |
240 |
P |
首标 |
附加处理 |
温度 |
系列 |
器件编号 |
封装 |
|
(辅助程序) |
74:商用(-40~85)℃; |
|
|
P:塑料双列; |
|
B:168小时, |
54:军用(-55~125)℃; |
|
|
PS:塑料双列(细线); |
|
Tj=150℃; |
|
|
|
S:陶瓷双列; |
|
老化或等效处理; |
|
|
|
DS:陶瓷双列(细线); |
|
J:833B级筛选; |
|
|
|
PL:塑料芯片载体(PLCC); |
|
R:抗辐照。 |
|
|
|
DL:陶瓷芯片载体(LCC); |
|
|
|
|
|
PO:塑料SOIC。 |
注:没有不附加处理的。 |
双极电路 |
V |
B |
空位 |
705 |
D |
J |
首标 |
附加处理 |
系列 |
部分编号 |
封装 |
温度和特性 |
|
B:168小时, |
|
|
P:塑料双列; |
A~I:工业用(-25~85)℃; |
|
Tj=150℃, |
|
|
PS:塑料双列 |
J~R:商用(0~70)℃; |
|
老化或等效处理; |
|
|
(细线); |
S~Z:军用(-55~125)℃。 |
|
J:833B级筛选; |
|
|
D:陶瓷双列; |
|
|
R:抗辐照。 |
|
|
J:陶瓷双列 |
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|
(侧面铜焊); |
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|
T:金属壳; |
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G:PGA; |
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F:扁平; |
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PL:塑料芯片载体 |
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(PLCC); |
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|
DL:陶瓷芯片载体 |
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|
(LCC)。 |
|
注:没有不附加处理的。 |
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TA |
7173 |
P |
首标 |
器件编号 |
封装 |
TA:双极线性电路; |
|
P:塑封; |
TC:CMOS电路; |
|
M:金属封装; |
TD:双极数字电路; |
|
C:陶瓷封装; |
TM:MOS存储器及微处理器 |
|
F:扁平封装; |
电路。 |
|
T:塑料芯片载体(PLCC); |
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J:SOJ; |
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|
D:CERDIP(陶瓷浸渍); |
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Z:ZIP。 |
DN |
74LS00 |
|
首标表示系列 |
器件编号 |
|
AN:模拟IC; |
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|
DN:双极数字IC; |
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MJ:开发型IC; |
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MN:MOS IC。 |
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器件型号举例说明
HA |
17741 |
P |
首标 |
系列/器件编号 |
封装 |
HA:模拟电路; |
|
C(或不标的):陶瓷双列直插封装; |
HD:数字电路(含RAM); |
|
G:陶瓷浸渍双列; |
HM:RAM; |
|
P:塑封双列; |
HN:ROM; |
|
CP:塑料芯片载体; |
HG:ASIC。 |
|
F(FP):扁平塑料封装; |
|
|
SO(SOP):小引线封装; |
|
|
CG:陶瓷芯片载体(8Bit微机电路); |
|
|
Y(PG):PGA(16Bit微机电路); |
|
|
Z:陶瓷芯片载体(16Bit微机电路); |
|
|
S:收缩型塑料双列。 |
|
|
*PGA:PIN GRID ARRAY。 |
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|
IDT |
71 |
681 |
LA |
35 |
C |
B |
首标 |
系列 |
器件 |
功耗 |
速度 |
封装 |
温度范围 |
|
29:MSI逻辑电路; |
编号 |
L或LA: |
|
P:塑料双列; |
没标:(0~70)℃; |
|
39:有限位的微处理器 |
|
低功耗; |
|
TP:塑料薄的双列; |
B:833B级, |
|
和MSI逻辑电路; |
|
S或SA: |
|
TC:薄的双列 |
(-55~125)℃。 |
|
49:有限位的微处理器 |
|
标准功耗。 |
|
(边沿铜焊); |
|
|
和MSI逻辑电路; |
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TD:薄的陶瓷双列; |
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54/74:MSI逻辑电路; |
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D:陶瓷双列; |
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61:静态RAM; |
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C:陶瓷铜焊双列; |
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|
71:静态RAM(专卖的); |
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XC:陶瓷铜焊缩小 |
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72:数字信号处理电路; |
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|
|
的双列; |
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79:RISC部件; |
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G:针栅阵列(PGA) |
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7M/8M:子系统模块 |
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SO:塑料小引线IC; |
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(密封的); |
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J:塑料芯片载体; |
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|
7MP/8MP:子系统模块 |
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L:陶瓷芯片载体; |
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(塑封)。 |
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XL:精细树脂芯片 |
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载体; |
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ML:适中的树脂 |
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芯片载体; |
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E:陶瓷封装; |
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F:扁平封装; |
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U:管芯。 |
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