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国外集成电路命名方法(三)


国外集成电路命名方法(电路系列缩写符号,介绍了国外集成电路命名方法)

 

缩写符号:SIC 译名:西格尼蒂克公司(美)


器件型号举例说明

NE

5534

N

 

首标

器件编号

封装

当有第二位字母时

表示温度范围:

 

CK:芯片;

表示引线数

75NNE:(0~70

 

D:微型(SO)塑料;

B3

0~75

 

E:金属壳(TO-46TO-72

C4

55SSE

 

4线封装;

E8

-55~125

 

F:陶瓷浸渍扁平;

F10

SA:(-40~85

 

G:芯片载体;

H14

SU:(-25~85

 

H:金属壳(TO-5

J16

 

 

810线封装;

K18

 

 

I:多层陶瓷双列;

L20

 

 

KTO-3型;

M22

 

 

N:塑料双列;

N24

 

 

P:有接地端的微型封装;

Q28

 

 

Q:多层陶瓷扁平;

W40

 

 

R:氧化铍多层陶瓷扁平;

X44

 

 

S:功率单列塑封;

Y48

 

 

W:陶瓷扁平。

Z50

同时生产与其它公司相同型号的产品。该公司并入PHIN公司。


缩写符号:SIEG 译名:西门子公司(德)

器件型号举例说明(与欧共体相一致)

 

TB

B

1458

A

GG

 

首标

温度范围

器件编号

改进型

封装

 

第一字母表示:

A:没规定范围;

 

 

首位字母表示封装形式:

 

S:单片数字电路;

B:(0~70

 

 

C:圆壳;

 

T:模拟电路;

C:(-55~125

 

 

D:双列直插;

 

U:模拟/数字混合

D:(-25~70

 

 

E:功率双列(带散热片);

 

电路。

E:(-25~85

 

 

F:扁平(两边引线);

 

第二字母,除"H"

F:(-40~85

 

 

G:扁平(四边引线);

 

表示混合电路外,

 

 

 

K:菱形(TO-3);

 

其它没明确含义。

 

 

 

M:多列引线(双、三、四列

 

电路系列由两字母加以

 

 

 

除外);

 

区分。

 

 

 

Q:四列直插;

 

 

 

 

 

R:功率四列(带散热片);

 

 

 

 

 

S:单片直插;

 

 

 

 

 

T:三列直插。

 

 

 

 

 

第二位字母表示封装材料:

 

 

 

 

 

C:金属-陶瓷;

 

 

 

 

 

G:玻璃-陶瓷(陶瓷浸渍);

 

 

 

 

 

M:金属;

 

 

 

 

 

P:塑料。

 

 

 

 

 

(半字符以防前后符号混淆)

 

 

缩写符号:THEF 译名:汤姆逊公司(法)


器件型号举例说明(与欧共体相一致)

TD

B

0155

A

DP

XX/XX

首标

温度范围

器件

封装

附加资料

第一字母表示:

A:没规定范围;

编号

第一字母表示封装形式:

 

S:数字电路;

B:(0~70

 

C:圆形;

 

T:模拟电路;

C:(-55~125

 

 

D:双列;

 

U:模拟/数字混

D:(-25~70

 

 

E:功率双列;

 

合电路。

E:(-25~85

 

 

F:扁平(两边引线);

 

第二字母有A

F:(-40~85

 

 

G:扁平(四边引线);

 

BCH

 

 

 

KTO-3型;

 

 

 

 

 

M:多列引线(多于四排)

 

 

 

 

 

Q:四列引线;

 

 

 

 

 

R:功率四列引线;

 

 

 

 

 

S:单列引线;

 

 

 

 

 

T:三列引线;

 

 

 

 

 

第二字母表示封装材料;

 

 

 

 

 

B:氧化铍-陶瓷;

 

 

 

 

 

C:陶瓷;

 

 

 

 

 

G:玻璃-陶瓷(陶瓷浸渍)

 

 

 

 

 

M:金属;

 

 

 

 

 

P:塑料;

 

 

 

 

 

X:其它。

 

    该公司与意大利SGS公司组成SGS-THOMSON公司。
    
产品型号有变化,除ST首标的产品外,还生产与别的厂家型号完全相同的产品。

 


老产品型号举例说明

 

SFC

2

101

A

P

M

THEF/CSF的首标

系列

器件

封装

温度范围

 

2:线性电路;

编号

D:塑料小型双列(少于10线);

C:(0~70

 

9:微机系列。

 

E:塑料双列(多于10线);

T:(-25~85

 

 

 

 

G:陶瓷小型双列(小于10线);

M:(-55~125

 

 

 

 

J:陶瓷浸渍双列(多于10线);

 

 

 

 

 

K:陶瓷双列;

 

 

 

 

 

P:扁平金属封装;

 

 

 

 

 

R:菱形金属封装;

 

 

 

 

 

U:塑料小型扁平封装;

 

 

 

 

 

没标者为金属圆壳封装。

 

 

 

 

 

 

 

汤姆逊公司其它部分首标的型号举例说明

EF

-

68008

V

P

D

10

C

首标

工艺

器件

温度范围

封装

质量水平

频率

用户

 

──

编号

L:(0~70

P:塑料双列;

──:标准的;

范围

密码

 

NMOSHMOS

 

V

PN:塑料芯片载体;

DD级(STD

 

 

 

LNMOS

 

-40~85

FP:小引线封装;

加老化)。

 

 

 

低功耗;

 

 

R:陶瓷PGA封装;

 

 

 

 

CCMOS

 

 

E:陶瓷芯片载体;

 

 

 

 

HCHCMOS

 

 

J:陶瓷浸渍双列;

 

 

 

 

 

 

 

C:陶瓷双列。

 

 

 

ET

C

2716

Q

55

M

B/B

首标

工艺

器件

封装

响应时间

温度范围

质量水平

 

──

 

C:陶瓷双列;

 

──:(0~70

──:标准的

 

NMOS

 

J:陶瓷浸渍双列

 

E:(-25~85

B/B883B.

 

CCMOS

 

N:塑料双列;

 

V:(-40~85

 

 

L:低功耗。

 

Q:紫外线窗口陶

 

M:(-55~125

 

 

 

 

瓷浸渍双列。

 

 

 

MK

68901

P

00

首标

器件编号

封装

仪表板编号

MK:标准产品;

 

P:镀金铜焊陶瓷双列;

 

MKB:军用高可靠筛选

 

J:陶瓷浸渍双列;

 

883B产品;

 

N:塑料双列;

 

MKI:工业用高可靠筛选

 

K:镀锡铜焊陶瓷双列;

 

-40~85产品。

 

T:有透明盖的陶瓷双列;

 

 

 

E:陶瓷芯片载体;

 

 

 

D:双密度RAM/PAC

 

 

 

F:扁平封装。

 

ET

-

68A00

C

M

B/B

首标

工艺

器件编号

封装

温度范围

质量水平

 

ANMOS

 

C:陶瓷双列;

L:(0~70

 

 

BCMOS/大部分;

 

E:陶瓷芯片载体;

V:(-40~85

 

 

GGMOS/Si gate

 

J:陶瓷浸渍双列;

M:(-55~125

 

 

(硅栅);

 

FN:塑料芯片载体;

 

 

 

X:(样品)原型。

 

P:塑料双列;

 

 

 

 

 

 

RRGA

 

 

J

LM108A

1

V

芯片

器件编号

硅片背面

质量水平

大片

 

加工:

V:芯片封装前按MIL-STD-883方法2010

 

 

1:硅;

进行100%目检;

 

 

2:镀金;

NV水平的加上批量抽样(55封装的IC);

 

 

3Si-Ni-Ag

TN水平的加上批量抽样老化(55封装IC);

 

 

 

WT水平的加上1000小时批量抽样寿命试验(55

 

 

 

封装IC);

 

 

 

ZW水平的接着试验。

同时有与欧共体相同的编号。

 

缩写符号:TII 译名:得克萨斯公司(美)


器件型号举例说明

TL

0728

E

JG

 

 

首标

器件编号

温度范围

封装

 

 

 

 

LS

183

J

 

首标

温度范围

系列

器件编号

封装

 

首标符号意义

AC:改进的双极电路;

SN:标准的数字电路;

TLTII的线性控制电路;

TIEF:跨导放大器;

TIES:红外光源;

TALLSTTL逻辑阵列;

JANB:军用BIC

TATSTTL逻辑阵列;

JAN38510:军用产品;

TMSMOS存储器/微处理器;

JBP:双极PMOS 883C产品;

TM:微处理器组件;

SNCIV马赫3级双极电路;

TBP:双极存储器;

SNJMIL-STD-883B双极电路;

TCCCD摄像器件;

SNMIV马赫1级电路;

TCM:通信集成电路;

RSN:抗辐射电路;

TIED:经外探测器;

SBP:双极微机电路;

TIL:光电电路;

SMJMIL-STD-883B MOS电路;

VM:语音存储器电路;

TACCMOS逻辑阵列;

TIFPLA:双极扫描编程逻辑阵列;

TLC:线性 CMOS电路;

TIBPAL:双极可编程阵列逻辑。

 

 

同时采用仿制厂家的首标。

封装符号

JJTJWJG:陶瓷双列;

PHPQRC:塑料四列扁平封装;

T:金属扁平封装;

LP:塑料三线;

DDW:小引线封装;

DBDL:缩小的小引线封装;

DBBDGV:薄的超小型封装;

DBV:小引线封装;

GB:陶瓷针栅阵列;

RA:陶瓷扁平封装;

KAKCKDKF:塑料功率封装;

U:陶瓷扁平封装;

P:塑料双列;

JD:黄铜引线框陶瓷双列;

WWAWCWD:陶瓷扁平封装;

NNTNWNENF:塑封双列;

MC:芯片;

DGGPW:薄的再缩小的小引线封装;

PAGPAHPCAPCBPMPNPZ:塑料薄型四列扁平封装;

FHFNFKFCFDFEFGFMFP:芯片载体。

数字电路系列符号

GTLGunning Transceiver Logic

SSTLSeris-Stub Terminated Logic

CBTCrossbar Technology

CDCClock-Distribution Circuits

ABTE:先进BiCMOS技术/增强收发逻辑;

FBBackplane Transceiver Logic/Futurebust

没标者为标准系列;

L:低功耗系列;

AC/ACT:先进CMOS逻辑;

H:高速系列;

AHC/AHCT:先进高速CMOS逻辑;

ALVC:先时低压CMOS技术;

S:肖特基二极管箝位系列;

LS:低功耗肖特基系列;

BCTBiCMOS总线-接口技术;

AS:先进肖特基系列;

FF系列(FAST);

CBTCrossbar Technology

ALS:先进低功耗肖特基系列;

HC/HCT:高速CMOS逻辑;

LV:低压HCMOS技术;

ABT:先时BiCMOS技术。

 

 

速度标志(MOS电路用)

15150ns MAX取数;

17170 ns MAX取数;

20200 ns MAX取数;

25250 ns MAX取数;

35350 ns MAX取数;

45450 ns MAX取数;

2200 ns MAX取数;

3350 ns MAX取数;

4450 ns MAX取数。

温度范围

数字和接口电路系列:

双极线性电路:

MOS电路:

5554:(-55~125

M:(-55~125

M:(-55~125

7574:(0~70

E:(-40~85

R:(-55~85

CMOS电路74表示(-40~85

I:(-25~85

L:(0~70

76:(-40~85

C:(0~70

C:(-25~85

 

 

E:(-40~85

 

 

S:(-55~100

 

 

H:(0~55

 

缩写符号:VTC 译名:VTC公司


器件型号举例说明

CMOS集成电路

V

B

74

ACT

240

P

首标

附加处理

温度

系列

器件编号

封装

 

(辅助程序)

74:商用(-40~85

 

 

P:塑料双列;

 

B168小时,

54:军用(-55~125

 

 

PS:塑料双列(细线);

 

Tj=150

 

 

 

S:陶瓷双列;

 

老化或等效处理;

 

 

 

DS:陶瓷双列(细线);

 

J833B级筛选;

 

 

 

PL:塑料芯片载体(PLCC);

 

R:抗辐照。

 

 

 

DL:陶瓷芯片载体(LCC);

 

 

 

 

 

PO:塑料SOIC

注:没有不附加处理的。

双极电路

V

B

空位

705

D

J

首标

附加处理

系列

部分编号

封装

温度和特性

 

B168小时,

 

 

P:塑料双列;

A~I:工业用(-25~85

 

  Tj=150

 

 

PS:塑料双列

J~R:商用(0~70

 

老化或等效处理;

 

 

  (细线);

S~Z:军用(-55~125

 

J833B级筛选;

 

 

D:陶瓷双列;

 

 

R:抗辐照。

 

 

J:陶瓷双列

 

 

 

 

 

(侧面铜焊);

 

 

 

 

 

T:金属壳;

 

 

 

 

 

GPGA

 

 

 

 

 

F:扁平;

 

 

 

 

 

PL:塑料芯片载体

 

 

 

 

 

PLCC);

 

 

 

 

 

DL:陶瓷芯片载体

 

 

 

 

 

LCC)。

 

注:没有不附加处理的。

 


缩写字符:TOSJ 译名:东芝公司(日)

 


器件型号举例说明

 

TA

7173

P

首标

器件编号

封装

TA:双极线性电路;

 

P:塑封;

TCCMOS电路;

 

M:金属封装;

TD:双极数字电路;

 

C:陶瓷封装;

TMMOS存储器及微处理器

 

F:扁平封装;

电路。

 

T:塑料芯片载体(PLCC);

 

 

JSOJ

 

 

DCERDIP(陶瓷浸渍);

 

 

ZZIP

 


缩写符号:MATJ 译名:松下电气公司(日)

 


器件型号举例说明

 

DN

74LS00

 

首标表示系列

器件编号

 

AN:模拟IC

 

 

DN:双极数字IC

 

 

MJ:开发型IC

 

 

MNMOS IC

 

 

 

缩写符号:HITJ 译名:日立公司(日)


器件型号举例说明

HA

17741

P

首标

系列/器件编号

封装

HA:模拟电路;

 

C(或不标的):陶瓷双列直插封装;

HD:数字电路(含RAM);

 

G:陶瓷浸渍双列;

HMRAM

 

P:塑封双列;

HNROM

 

CP:塑料芯片载体;

HGASIC

 

FFP):扁平塑料封装;

 

 

SOSOP):小引线封装;

 

 

CG:陶瓷芯片载体(8Bit微机电路);

 

 

YPG):PGA16Bit微机电路);

 

 

Z:陶瓷芯片载体(16Bit微机电路);

 

 

S:收缩型塑料双列。

 

 

*PGAPIN GRID ARRAY

 


缩写符号:IDT 译名:集成器件技术公司

 


器件型号举例说明

 

IDT

71

681

LA

35

C

B

首标

系列

器件

功耗

速度

封装

温度范围

 

29MSI逻辑电路;

编号

LLA

 

P:塑料双列;

没标:(0~70

 

39:有限位的微处理器

 

低功耗;

 

TP:塑料薄的双列;

B833B级,

 

MSI逻辑电路;

 

SSA

 

TC:薄的双列

-55~125

 

49:有限位的微处理器

 

标准功耗。

 

(边沿铜焊);

 

 

MSI逻辑电路;

 

 

 

TD:薄的陶瓷双列;

 

 

54/74MSI逻辑电路;

 

 

 

D:陶瓷双列;

 

 

61:静态RAM

 

 

 

C:陶瓷铜焊双列;

 

 

71:静态RAM(专卖的);

 

 

 

XC:陶瓷铜焊缩小

 

 

72:数字信号处理电路;

 

 

 

的双列;

 

 

79RISC部件;

 

 

 

G:针栅阵列(PGA

 

 

7M/8M:子系统模块

 

 

 

SO:塑料小引线IC

 

 

(密封的);

 

 

 

J:塑料芯片载体;

 

 

7MP/8MP:子系统模块

 

 

 

L:陶瓷芯片载体;

 

 

(塑封)。

 

 

 

XL:精细树脂芯片

 

 

 

 

 

 

载体;

 

 

 

 

 

 

ML:适中的树脂

 

 

 

 

 

 

芯片载体;

 

 

 

 

 

 

E:陶瓷封装;

 

 

 

 

 

 

F:扁平封装;

 

 

 

 

 

 

U:管芯。

 

 





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